【英文标准名称】:Testingofmaterialsforsemiconductortechnology-DeterminationofthedislocationetchpitsdensityinmonocrystalsofIII-V-compoundsemiconductors-Part3:Galliumphosphide
【原文标准名称】:半导体工艺材料的检验.Ⅲ-Ⅴ化合物半导体单晶错位腐蚀坑密度的测定.第3部分:镓磷化物
【标准号】:DIN50454-3-1994
【标准状态】:作废
【国别】:德国
【发布日期】:1994-10
【实施或试行日期】:
【发布单位】:德国标准化学会(DE-DIN)
【起草单位】:
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:表面;腐蚀检查;错位腐蚀斑;蚀斑密度;刻蚀技术;不合格的材料;错位置;试验;缺陷与故障;单晶;半导体;蚀刻;半导体工艺;材料试验
【英文主题词】:Defects;Dislocations;Dislocationsetchpits;Etchdensity;Etchinspection;Etchtechniques;Etching;Faultymaterial;Galliumphosphide;Materialstesting;Semiconductortechnology;Semiconductors;Singlecrystal;Surfaces;Testing
【摘要】:Thedocumentspecifiesatestmethodfordeterminationofthedislocationetchpitsdensities100000cminmonocrystalsofgalliumphosphide.Themethodisindependentontheelectricalresistivityandtheconductivitytypeofthematerial.
【中国标准分类号】:H83
【国际标准分类号】:29_045
【页数】:2P;A4
【正文语种】:德语